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突破美方封锁 国产小芯片4纳米封装开始量产

发布时间 : 2023-01-11 12:27:17        来源 : 党建在线     浏览次数 :

突破美方封锁 国产小芯片4纳米封装开始量产

2023-01-09 16:59:56 来源:参考消息网

参考消息网1月9日报道 据台湾“中时新闻网”1月8日报道,用先进的封装技术连接功能不同的数个芯片以达到先进制程芯片功能的小芯片(又称晶粒)技术,被视为中国突破美国芯片科技禁运的快捷方式。长电科技开发的先进封装技术已开始为国际客户进行芯片封装量产。

移动资讯APP“快科技”报道,面对西方国家对中国进行包括极紫外(EUV)光刻机在内的半导体设备禁运,以小芯片等先进封装技术将成熟制程的芯片组合连结后达到先进制程芯片功能的技术,成为中国突破美方科技禁运的重要路线之一,很快获得明显进展。

报道说,长电科技宣布,该公司开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户4纳米节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为1500平方毫米的系统级封装。

据了解,长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势,在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用,向下游客户提供外形更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。

国际半导体业者最初发展小芯片技术并非因为受到美国科技禁运,而是随着先进制程不断深入,随着制程工艺逐渐接近物理极限,半导体设备的技术竞争激烈,光刻机等设备价格与制造成本皆快速飙高,让业界被迫寻找新的替代技术,小芯片就是其中之一。

小芯片的概念是不执着于将所有的晶体管全部整合在一块芯片内,而是将多个功能相异的芯片通过先进封装技术整合在一起,形成一个系统芯片,如此可以不使用先进制程芯片就能达到相近的性能要求。

目前台积电、高通等半导体企业以及谷歌、微软等IT巨头在内的10家企业就小芯片技术展开合作,公开了通用小芯片互联标准,还成立了产业联盟。中国则是因为先进制程设备受到禁运,因此想借此突破美方的芯片技术封锁,更有机会在半导体产业进行弯道超车。

长电科技组装车间内芯片焊线资料图片(新华社发)


【新闻链接】

长电科技 XDFOI Chiplet 系列工艺实现稳定量产

作者:时间:2023-01-05来源:IT之家

IT之家 1 月 5 日消息,长电科技宣布,公司 XDFOI Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户 4nm 节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为 1500mm² 的系统级封装。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202301/442394.htm

长电科技于 2021 年 7 月推出了面向 Chiplet(小芯片)的高密度多维异构集成技术平台 XDFOI,利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化,涵盖 2D、2.5D、3D Chiplet 集成技术。

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长电科技 XDFOI 通过小芯片异构集成技术,在有机重布线堆叠中介层(RDL Stack Interposer,RSI)上,放置一颗或多颗逻辑芯片(CPU / GPU 等),以及 I / O Chiplet 和 / 或高带宽内存芯片(HBM)等,形成一颗高集成度的异构封装体。一方面可将高密度 fcBGA 基板进行“瘦身”,将部分布线层转移至有机重布线堆叠中介层基板上,利用有机重布线堆叠中介层最小线宽线距 2μm 及多层再布线的优势,缩小芯片互连间距,实现更加高效、更为灵活的系统集成;另一方面,也可将部分 SoC 上互连转移到有机重布线堆叠中介层,从而得以实现以 Chiplet 为基础的架构创新,而最终达到性能和成本的双重优势。

IT之家了解到,长电科技 XDFOI 技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在 50μm 以内,微凸点(µBump)中心距为 40μm,实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成,达到更高集成度、更强模块功能和更小封装尺寸。同时,还可以在封装体背面进行金属沉积,在有效提高散热效率的同时,根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。

长电科技 XDFOI Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用。



A股上市公司长电科技(600584)-核心技术和创新能力分析

2021-05-28 17:26  https://www.sohu.com/a/469152598_121082475

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长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商,2020年营收在全球前十大OSAT(封装测试企业)厂商中排名第三,中国大陆第一(芯思想研究院发布);产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用,包括网络通信、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电科技2021年一季度报告显示,报告期内,公司实现营业收入67.12亿元,同比增长17.59%。目前市值621.1亿,市盈率39.89倍。

公司目前提供的半导体微系统集成和封装测试服务涵盖了高、中、低各种半导体封测类型,涉及多种半导体产品终端市场应用领域,并在韩国、新加坡、中国江阴、滁州、宿迁均设有分工明确、各具技术特色和竞争优势的全球运营中心,为客户提供从系统集成封装设计到技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试和芯片成品测试的全方位的芯片成品制造一站式服务。

一、高质量科研机构

公司在中国和韩国有两大研发中心,在中国、韩国及新加坡拥有六大集成电路成品生产基地,拥有“高密度集成电路封测国家工程实验室”、“博士后科研工作站”、“国家级企业技术中心”等研发平台;并拥有雄厚的工程研发实力和经验丰富的研发团队。

二、核心技术

2.5/3D集成技术处于国内领先地位

圆片级与扇出封装技术处于行业领先地位

系统级封装技术处于行业领先地位

倒装封装技术处于国内领先地位

焊线封装技术处于业内领先

三、获得的技术奖项

长电科技荣获“第十一届、十二届中国半导体创新产品和技术项目”奖

指纹识别模块IC的双面系统级封装技术荣获第九届中国半导体创新产品和技术称号。

荣获2015年中国十大半导体封装测试企业。

3D-MIS封装技术(被动元器件叠装于FC芯片MIS封装技术)荣获了中国半导体创新产品和技术项目奖项,这已是长电科技第八次荣获该奖项。

四、研发费用投入

长电科技2020年研发费用投入10.19亿元,占营业收入的3.85%。研发人员5949人,占公司总人数的25.47%,其中不乏国务院特殊津贴专家、博士后、博士等高级人才。研发费用占比相对较低,研发人员占比很高。2020年度长电科技的研发投入主要集中在 5G射频、天线封装(AiP)、高性能计算(HPC)和汽车应用等新兴市场。

五、专利技术及知识产权布局

通过中国知识产权大数据与智慧服务系统(Inspiro)对江苏长电科技股份有限公司专利和知识产权进行检索,江苏长电科技股份有限公司共申请专利1384项,包括发明专利481项、实用新型专利883项、外观专利7项、PCT国际专利13项。

根据最新公开的专利,长电科技近两年主要在半导体器件及芯片的封装结构和封装方法等方面进行了技术布局,可有效解决目前集成封装结构需要进一步高密度、小型化、多维化、多需求排布设计的需求。并且解决目前芯片封装结构中在热胀冷缩作用下背金层会对芯片产生不良应力破坏的问题,以及提高了芯片有效区域利用率,消除孔洞现象,节省空间缩小产品尺寸。

点评:

长电科技在半导体集成封装技术和芯片封装技术方面拥有自主的核心技术。公司一直以来积极布局 5G通信网络、人工智能、汽车电子、智能移动终端等市场。长电科技应当持续鼓励工程团队提出相关的创意,并将其转化为公司的核心知识产权,为抓住 5G时代行业快速发展的机遇奠定基础。长电科技具有极强的、持续的创新能力。

长电科技的研发人员占比较高,研发实力雄厚,研发费用投入持续增加,但是占比相对较少,以后需要加大研发投入才能保持持续的创新能力。在专利布局方面,由于半导体芯片的核心技术基本被国外垄断,通过海外PCT专利的布局,长电科技为持续的发展建立了很强的竞争优势。